TSM70N380CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 11A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.05 грн |
| 75+ | 137.11 грн |
| 150+ | 126.22 грн |
| 525+ | 103.76 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM70N380CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 11A TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V.
Інші пропозиції TSM70N380CH C5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM70N380CH C5G | Taiwan Semiconductor |
 MOSFET 700V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. |
| TSM70N380CH C5G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 6.6A Power dissipation: 125W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 18.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
TSM70N380CH C5G | Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. |
| TSM70N380CH C5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 700V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFET 700V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSM70N380CH C5G |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 125W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 125W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSM70N380CH C5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.