TSM70N380CI C0G

TSM70N380CI C0G Taiwan Semiconductor


TSM70N380_E1706.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 700V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 1888 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.29 грн
10+235.75 грн
25+193.28 грн
100+166.19 грн
250+156.68 грн
500+147.89 грн
1000+125.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM70N380CI C0G Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 700V 11A ITO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V.

Інші пропозиції TSM70N380CI C0G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM70N380CI C0G TSM70N380CI C0G Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N380_E1706.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 11A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.