
TSM70N380CI C0G Taiwan Semiconductor
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 285.29 грн |
10+ | 235.75 грн |
25+ | 193.28 грн |
100+ | 166.19 грн |
250+ | 156.68 грн |
500+ | 147.89 грн |
1000+ | 125.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM70N380CI C0G Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 700V 11A ITO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V.
Інші пропозиції TSM70N380CI C0G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM70N380CI C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |