TSM70N600CP ROG

TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM70N600_F1901.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
на замовлення 1354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+346.34 грн
10+ 298.99 грн
100+ 244.98 грн
500+ 195.71 грн
1000+ 165.06 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 83W; DPAK, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 4.8A, On-state resistance: 0.6Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 83W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 12.6nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: SMD, Case: DPAK, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції TSM70N600CP ROG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM70N600CP ROG TSM70N600CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm70n600_f1901.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TSM70N600CP ROG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70N600_F1901.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 83W; DPAK
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N600CP ROG TSM70N600CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N600_F1901.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
товар відсутній
TSM70N600CP ROG TSM70N600CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM70N600_F1901-1918808.pdf MOSFET 700V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
TSM70N600CP ROG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70N600_F1901.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 83W; DPAK
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: DPAK
товар відсутній