TSM70N900CI C0G Taiwan Semiconductor
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.32 грн |
| 10+ | 170.52 грн |
| 100+ | 118.00 грн |
| 250+ | 108.69 грн |
| 500+ | 98.59 грн |
| 1000+ | 84.62 грн |
| 2000+ | 79.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM70N900CI C0G Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A ITO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V.
Інші пропозиції TSM70N900CI C0G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM70N900CI C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
TSM70N900CI C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |