Технічний опис TSM70NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.8A; 28W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 1.8A, Power dissipation: 28W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 7.4nC, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції TSM70NB1R4CP ROG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
TSM70NB1R4CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252 |
товару немає в наявності |
|
|
|
TSM70NB1R4CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 700V, 3A |
товару немає в наявності |
|
| TSM70NB1R4CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.8A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 1.8A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
