TSM7P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM7P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM7P06CP ROG за ціною від 12.32 грн до 41.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM7P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V |
на замовлення 4183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM7P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET -60V, -7A, Single P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM7P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
TSM7P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM7P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| TSM7P06CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; 15.6W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.4A Power dissipation: 15.6W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| TSM7P06CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; 15.6W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.4A Power dissipation: 15.6W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |