Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM850N06CX RFG
TSM850N06CX RFG

TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM850N06CX_C1811.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.68 грн
11+28.04 грн
50+20.40 грн
100+16.83 грн
500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM850N06CX RFG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM850N06CX_C1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor TSM850N06CX_C1811.pdf MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM850N06CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor TSM850N06CX_C1811.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.