Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM850N06CX RFG
TSM850N06CX RFG

TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM850N06CX_C1811.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.88 грн
6000+8.28 грн
9000+7.46 грн
15000+6.92 грн
21000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM850N06CX RFG за ціною від 7.92 грн до 42.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM850N06CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.01 грн
21+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM850N06CX_C1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V
на замовлення 24087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.18 грн
13+24.37 грн
100+13.23 грн
500+11.89 грн
1000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM850N06CX_C1811.pdf MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 21028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.43 грн
13+26.81 грн
100+12.68 грн
500+12.38 грн
1000+11.02 грн
3000+8.15 грн
6000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm850n06cx_c1811.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.