TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.06 грн |
| 6000+ | 8.36 грн |
| 9000+ | 7.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM850N06CX RFG за ціною від 7.04 грн до 59.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM850N06CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V |
на замовлення 13962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM850N06CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 11876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM850N06CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM850N06CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 187 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM850N06CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |