Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM900N06CP ROG
TSM900N06CP ROG

TSM900N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM900N06CP_A2205.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM900N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM900N06CP ROG за ціною від 13.72 грн до 60.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM900N06CP ROG TSM900N06CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CP_A2205.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.40 грн
10+35.70 грн
100+24.40 грн
500+18.94 грн
1000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CP ROG TSM900N06CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM900N06CP_A2205.pdf MOSFETs 60V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.19 грн
10+41.78 грн
100+24.81 грн
500+20.48 грн
1000+18.71 грн
2500+15.49 грн
5000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CP ROG TSM900N06CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor 875697097142606tsm900n06_c1612.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.