Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM900N06CW RPG
TSM900N06CW RPG

TSM900N06CW RPG Taiwan Semiconductor

tsm900n06cw_a2205.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.59 грн
10000+9.69 грн
25000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM900N06CW RPG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM900N06CW RPG за ціною від 9.07 грн до 39.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm900n06cw_a2205.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.28 грн
10000+10.32 грн
25000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW_A2205.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.09 грн
13+25.71 грн
100+18.80 грн
500+13.40 грн
1000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM900N06CW_A2205.pdf MOSFETs 60V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.73 грн
13+27.95 грн
100+18.06 грн
500+13.79 грн
1000+11.73 грн
2500+10.06 грн
5000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM900N06CW_A2205.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 11A; 4,17W; -55°C ~ 150°C; TSM900N06CW RPG TSM900N06CW TTSM900n06cw
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm900n06cw_a2205.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor 875697097142606tsm900n06_c1612.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm900n06cw_a2205.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM900N06CW_A2205.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 4.17W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW_A2205.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM900N06CW_A2205.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 4.17W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.