TSM900N06CW RPG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.3nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 4.17W
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 39.66 грн |
| 17+ | 25.53 грн |
| 100+ | 23.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM900N06CW RPG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM900N06CW RPG за ціною від 7.78 грн до 62.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM900N06CW RPG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TSM900N06CW RPG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V |
на замовлення 20433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TSM900N06CW RPG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 60V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 11A; 4,17W; -55°C ~ 150°C; TSM900N06CW RPG TSM900N06CW TTSM900n06cw кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|