Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM900N06CW RPG
TSM900N06CW RPG
  • TSM900N06CW RPG
  • TSM900N06CW RPG

TSM900N06CW RPG TAIWAN SEMICONDUCTOR

TSM900N06CW_A2205.pdf Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 4.17W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.27 грн
16+26.48 грн
25+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM900N06CW RPG TAIWAN SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM900N06CW RPG за ціною від 9.19 грн до 44.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM900N06CW RPG
+1
 		TSM900N06CW RPG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM900N06CW_A2205.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 4.17W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.73 грн
10+33.00 грн
25+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm900n06cw_a2205.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.61 грн
10000+9.71 грн
25000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm900n06cw_a2205.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.31 грн
10000+10.34 грн
25000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW_A2205.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.61 грн
13+26.08 грн
100+19.07 грн
500+13.59 грн
1000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM900N06CW_A2205.pdf MOSFETs 60V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.29 грн
13+28.34 грн
100+18.31 грн
500+13.99 грн
1000+11.90 грн
2500+10.20 грн
5000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM900N06CW_A2205.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 11A; 4,17W; -55°C ~ 150°C; TSM900N06CW RPG TSM900N06CW TTSM900n06cw
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm900n06cw_a2205.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor 875697097142606tsm900n06_c1612.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm900n06cw_a2205.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW_A2205.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.