Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM900N10CP ROG
TSM900N10CP ROG

TSM900N10CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM900N10_A15.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.39 грн
5000+18.28 грн
7500+17.83 грн
12500+16.22 грн
17500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM900N10CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TSM900N10CP ROG за ціною від 14.78 грн до 69.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM900N10CP ROG TSM900N10CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10_A15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 22417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.09 грн
10+45.38 грн
100+32.90 грн
500+23.96 грн
1000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N10CP ROG TSM900N10CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM900N10_A15.pdf MOSFETs 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.58 грн
10+49.58 грн
100+31.68 грн
500+24.75 грн
1000+22.39 грн
2500+19.88 грн
5000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N10CP ROG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM900N10_A15.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 15A; 50W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N10CP ROG TSM900N10CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm900n10_a15.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.