TSM950N10CW RPG

TSM950N10CW RPG Taiwan Semiconductor


TSM950N10_D1807.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 100V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5019 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.54 грн
10+39.32 грн
100+24.24 грн
500+18.72 грн
1000+16.85 грн
2500+14.92 грн
5000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM950N10CW RPG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TSM950N10CW RPG за ціною від 18.38 грн до 71.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM950N10CW RPG TSM950N10CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM950N10_D1807.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.49 грн
10+43.10 грн
100+28.10 грн
500+20.33 грн
1000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM950N10CW RPG TSM950N10CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM950N10_D1807.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.