Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM950N10CW RPG
TSM950N10CW RPG

TSM950N10CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM950N10_D1807.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM950N10CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TSM950N10CW RPG за ціною від 14.93 грн до 60.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM950N10CW RPG TSM950N10CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM950N10_D1807.pdf MOSFETs 100V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.89 грн
10+42.13 грн
100+24.94 грн
500+20.89 грн
1000+17.73 грн
2500+16.11 грн
5000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TSM950N10CW RPG TSM950N10CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM950N10_D1807.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 9154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.48 грн
10+41.23 грн
100+30.06 грн
500+22.52 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM950N10CW RPG TSM950N10CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm950n10_d1807.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM950N10CW RPG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM950N10_D1807.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.1A; 9W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 9W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.