TT8J21TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 650mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TT8J21TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST, Supplier Device Package: 8-TSST, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 650mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TT8J21TR за ціною від 26.07 грн до 97.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TT8J21TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-TSST Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 650mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads |
на замовлення 3027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TT8J21TR | ROHM Semiconductor |
MOSFET P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching |
на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TT8J21TR |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TT8J21TR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 650mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 650mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.08 грн |
| 10+ | 59.16 грн |
| 100+ | 39.13 грн |
| 500+ | 28.67 грн |
| 1000+ | 26.07 грн |
| TT8J21TR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching
MOSFET P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)