на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 647+ | 18.88 грн |
| 650+ | 18.77 грн |
| 677+ | 18.04 грн |
| 1000+ | 17.10 грн |
| 2000+ | 15.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TT8J21TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 650mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-TSST.
Інші пропозиції TT8J21TR за ціною від 25.83 грн до 99.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TT8J21TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSSTPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 650mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-TSST |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TT8J21TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TT8J21TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 650mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-TSST |
на замовлення 3027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TT8J21TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching |
на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| TT8J21TR |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |