TT8J21TR Rohm Semiconductor


tt8j21tr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
647+21.88 грн
650+21.76 грн
677+20.91 грн
1000+19.82 грн
2000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TT8J21TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST, Supplier Device Package: 8-TSST, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 650mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TT8J21TR за ціною від 25.15 грн до 96.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TT8J21TR TT8J21TR Rohm Semiconductor TSST8_TR_taping.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 650mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8J21TR TT8J21TR Rohm Semiconductor tt8j21tr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+41.72 грн
354+40.05 грн
500+38.60 грн
1000+36.01 грн
2500+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8J21TR TT8J21TR Rohm Semiconductor TSST8_TR_taping.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 650mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.86 грн
10+59.03 грн
100+39.04 грн
500+28.60 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8J21TR TT8J21TR ROHM Semiconductor TSST8_TR_taping.pdf MOSFETs P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT8J21TR TSST8_TR_taping.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT8J21TR TSST8_TR_taping.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 650mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8J21TR tt8j21tr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
339+41.72 грн
354+40.05 грн
500+38.60 грн
1000+36.01 грн
2500+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8J21TR TSST8_TR_taping.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 650mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.86 грн
10+59.03 грн
100+39.04 грн
500+28.60 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8J21TR TSST8_TR_taping.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT8J21TR TSST8_TR_taping.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.