на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.07 грн |
| 10+ | 35.22 грн |
| 100+ | 22.85 грн |
| 500+ | 18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TT8K11TCR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1A, Supplier Device Package: 8-TSST.
Інші пропозиції TT8K11TCR за ціною від 21.73 грн до 28.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TT8K11TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 8-Pin TSST T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
TT8K11TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1A Supplier Device Package: 8-TSST |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
TT8K11TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1A Supplier Device Package: 8-TSST |
товар відсутній |