TT8M1TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.60 грн |
| 6000+ | 11.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TT8M1TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: 8-TSST, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TT8M1TR за ціною від 14.20 грн до 58.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TT8M1TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R |
на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TT8M1TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-TSST Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 10321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TT8M1TR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
на замовлення 6158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TT8M1TR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 335+ | 42.35 грн |
| 348+ | 40.65 грн |
| 500+ | 39.18 грн |
| 1000+ | 36.54 грн |
| TT8M1TR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.12 грн |
| 10+ | 34.70 грн |
| 100+ | 22.45 грн |
| 500+ | 16.10 грн |
| 1000+ | 14.20 грн |
| TT8M1TR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
MOSFETs 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)