TT8M1TR Rohm Semiconductor


TT8M1_DS.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.62 грн
6000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TT8M1TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: 8-TSST, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TT8M1TR за ціною від 10.08 грн до 58.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TT8M1TR TT8M1TR ROHM Semiconductor TT8M1_DS.pdf MOSFETs 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.98 грн
10+33.42 грн
100+20.23 грн
500+15.81 грн
1000+12.84 грн
3000+10.56 грн
9000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR TT8M1TR Rohm Semiconductor TT8M1_DS.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+34.78 грн
100+22.50 грн
500+16.13 грн
1000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR TT8M1_DS.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.98 грн
10+33.42 грн
100+20.23 грн
500+15.81 грн
1000+12.84 грн
3000+10.56 грн
9000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR TT8M1_DS.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.25 грн
10+34.78 грн
100+22.50 грн
500+16.13 грн
1000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.