Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > TT8M1TR
TT8M1TR

TT8M1TR Rohm Semiconductor

TT8M1_DS.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.90 грн
6000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TT8M1TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-TSST, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції TT8M1TR за ціною від 10.98 грн до 59.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TT8M1TR TT8M1TR ROHM Semiconductor TT8M1_DS.pdf MOSFETs 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+42.48 грн
10+36.43 грн
100+22.04 грн
500+17.23 грн
1000+13.99 грн
3000+11.51 грн
9000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR TT8M1TR Rohm Semiconductor tt8m1tr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+43.85 грн
348+42.10 грн
500+40.57 грн
1000+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR TT8M1TR Rohm Semiconductor TT8M1_DS.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.51 грн
10+35.53 грн
100+22.98 грн
500+16.48 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR TT8M1_DS.pdf
TT8M1TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
на замовлення 6158 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.48 грн
10+36.43 грн
100+22.04 грн
500+17.23 грн
1000+13.99 грн
3000+11.51 грн
9000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR tt8m1tr-e.pdf
TT8M1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
335+43.85 грн
348+42.10 грн
500+40.57 грн
1000+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR TT8M1_DS.pdf
TT8M1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.51 грн
10+35.53 грн
100+22.98 грн
500+16.48 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.