TT8M2TR Rohm Semiconductor
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 288+ | 42.48 грн |
| 500+ | 35.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TT8M2TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8TSST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-TSST.
Інші пропозиції TT8M2TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
TT8M2TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 2.5A 8-Pin TSST T/R |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
TT8M2TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8TSST Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-TSST |
товару немає в наявності |
|
 |
TT8M2TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TRANS MOSFET N/PCH 30V/20V 2.5A 8PIN |
товару немає в наявності |