Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > TT8M3TR
TT8M3TR

TT8M3TR Rohm Semiconductor

tt8m3tr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A/2.4A 8-Pin TSST T/R
на замовлення 15951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
569+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 569
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TT8M3TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-TSST.

Інші пропозиції TT8M3TR за ціною від 24.66 грн до 33.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TT8M3TR TT8M3TR Виробник : Rohm Semiconductor tt8m3tr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A/2.4A 8-Pin TSST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
383+31.80 грн
399+30.53 грн
500+29.42 грн
1000+27.45 грн
2500+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 383
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M3TR TT8M3TR Виробник : Rohm Semiconductor tt8m3tr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A/2.4A 8-Pin TSST T/R
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
359+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 359
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M3TR TT8M3.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M3TR TT8M3TR Виробник : Rohm Semiconductor TT8M3.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M3TR TT8M3TR Виробник : Rohm Semiconductor TT8M3.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M3TR TT8M3TR Виробник : ROHM Semiconductor TT8M3.pdf MOSFETs 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.