Продукція > TOSHIBA > TW015N65C,S1F(S
TW015N65C,S1F(S

TW015N65C,S1F(S TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 342W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TW015N65C,S1F(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 342W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.

Інші пропозиції TW015N65C,S1F(S за ціною від 2912.68 грн до 9396.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TW015N65C,S1F(S TOSHIBA Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 21mΩ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+2912.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(S Toshiba TW015N65C,S1F(S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6181.56 грн
5+5938.04 грн
10+5516.57 грн
25+5249.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(S Toshiba TW015N65C,S1F(S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9396.72 грн
3+9097.38 грн
5+8524.02 грн
10+7693.24 грн
20+7218.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 21mΩ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+2912.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(S
Виробник: Toshiba
TW015N65C,S1F(S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+6181.56 грн
5+5938.04 грн
10+5516.57 грн
25+5249.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(S
Виробник: Toshiba
TW015N65C,S1F(S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+9396.72 грн
3+9097.38 грн
5+8524.02 грн
10+7693.24 грн
20+7218.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.