TW015N65C,S1F(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 342W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW015N65C,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 342W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.
Інші пропозиції TW015N65C,S1F(S за ціною від 2938.81 грн до 9481.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TW015N65C,S1F(S | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 100A Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A On-state resistance: 21mΩ |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| TW015N65C,S1F(S | Toshiba | TW015N65C,S1F(S |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| TW015N65C,S1F(S | Toshiba | TW015N65C,S1F(S |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TW015N65C,S1F(S |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 21mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 21mΩ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 2938.81 грн |
| TW015N65C,S1F(S |
Виробник: Toshiba
TW015N65C,S1F(S
TW015N65C,S1F(S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 6237.00 грн |
| 5+ | 5991.30 грн |
| 10+ | 5566.05 грн |
| 25+ | 5296.23 грн |
| TW015N65C,S1F(S |
Виробник: Toshiba
TW015N65C,S1F(S
TW015N65C,S1F(S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 9481.00 грн |
| 3+ | 9178.97 грн |
| 5+ | 8600.47 грн |
| 10+ | 7762.24 грн |
| 20+ | 7283.40 грн |


