TW027Z65C,S1F(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1403.72 грн |
| 5+ | 1341.15 грн |
| 10+ | 1278.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW027Z65C,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW027Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TW027Z65C,S1F(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| TW027Z65C,S1F(S | Виробник : Toshiba | Silicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET |
товару немає в наявності |