Продукція > TOSHIBA > TW048N65C,S1F(S
TW048N65C,S1F(S

TW048N65C,S1F(S TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW048N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+879.28 грн
5+865.28 грн
10+850.46 грн
50+525.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TW048N65C,S1F(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TW048N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.065 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TW048N65C,S1F(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TW048N65C,S1F(S Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.