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TW083U65C,RQ(S TOSHIBA

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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW083U65C,RQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.124 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

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Кількість	Ціна
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5+	990.96 грн
10+	805.48 грн
50+	730.40 грн
100+	660.97 грн
250+	646.98 грн

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Технічний опис TW083U65C,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TW083U65C,RQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.124 ohm, TOLL, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 111W, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).