U3D-M3/9AT Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.80 грн |
| 10+ | 34.93 грн |
| 100+ | 21.11 грн |
| 1000+ | 19.72 грн |
| 2500+ | 11.70 грн |
| 10500+ | 11.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис U3D-M3/9AT Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Current - Average Rectified (Io): 2A, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AB, SMC, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції U3D-M3/9AT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
U3D-M3/9AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214ABCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Current - Average Rectified (Io): 2A Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AB, SMC Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |