UCC27712QDQ1 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDriver 2.8A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC Tube Automotive AEC-Q100
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 136+ | 92.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UCC27712QDQ1 Texas Instruments
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 10ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V, Current - Peak Output (Source, Sink): 1.8A, 2.8A, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції UCC27712QDQ1 за ціною від 75.43 грн до 321.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UCC27712QDQ1 | Виробник : Texas Instruments |
Driver 2.8A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC Tube Automotive AEC-Q100 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UCC27712QDQ1 | Виробник : Texas Instruments |
Gate Drivers Autom620-V,1.8A,2.8A HighSiLowSiGateDriv |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UCC27712QDQ1 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; H-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.8÷2.8A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: H-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -1.8...2.8A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...140°C Impulse rise time: 50ns Pulse fall time: 30ns Kind of package: tube Application: automotive industry |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UCC27712QDQ1 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; H-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.8÷2.8A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: H-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -1.8...2.8A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...140°C Impulse rise time: 50ns Pulse fall time: 30ns Kind of package: tube Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 305 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UCC27712QDQ1 | Виробник : Texas Instruments |
Driver 2.8A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC Tube Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
UCC27712QDQ1 | Виробник : Texas Instruments |
Driver 2.8A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
UCC27712QDQ1 | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 10ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.8A, 2.8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |