Продукція > ONSEMI > UF3C065030B3
UF3C065030B3

UF3C065030B3 onsemi

UF3C065030B3-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1012.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C065030B3 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V, Power Dissipation (Max): 242W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V, Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET).

Інші пропозиції UF3C065030B3 за ціною від 848.74 грн до 1839.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : ONSEMI UF3C065030B3-D.PDF Description: ONSEMI - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1294.13 грн
50+1144.28 грн
100+911.44 грн
250+848.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : ONSEMI UF3C065030B3-D.PDF Description: ONSEMI - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1417.80 грн
5+1355.96 грн
10+1294.13 грн
50+1144.28 грн
100+911.44 грн
250+848.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : Qorvo UF3C065030B3_Data_Sheet-3177144.pdf SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1667.43 грн
25+1429.34 грн
100+1072.11 грн
250+986.71 грн
500+957.21 грн
2400+956.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : onsemi UF3C065030B3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1713.15 грн
10+1193.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : onsemi UF3C065030B3-D.PDF SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1839.51 грн
10+1312.38 грн
500+1137.32 грн
800+1065.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3
Код товару: 198848
Додати до обраних Обраний товар

UF3C065030B3-D.PDF Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.