Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > UF3C065030B3

UF3C065030B3

UF3C065030B3-D.PDF
Код товару: 198848
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції UF3C065030B3 за ціною від 921.61 грн до 1668.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UF3C065030B3 UF3C065030B3 onsemi UF3C065030B3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+921.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 onsemi UF3C065030B3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1668.21 грн
10+1161.52 грн
100+1086.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 onsemi UF3C065030B3-D.PDF SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 ONSEMI 3750881.pdf Description: ONSEMI - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 ONSEMI 3750881.pdf Description: ONSEMI - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3-D.PDF
UF3C065030B3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+921.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3-D.PDF
UF3C065030B3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1668.21 грн
10+1161.52 грн
100+1086.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3-D.PDF
UF3C065030B3
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 3750881.pdf
UF3C065030B3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 3750881.pdf
UF3C065030B3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

0 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4159
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_hitano-datasheet.pdf
0 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 0 Ом
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
очікується: 60000 шт
  • 60000 шт - очікується 06.10.2026
на замовлення: 9100 шт
  • 9100 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.10 грн
1000+0.06 грн
10000+0.03 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,7nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B472K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 3942
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
4,7nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B472K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 4,7 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
товару немає в наявності
очікується: 12000 шт
  • 12000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
40+0.50 грн
100+0.35 грн
1000+0.25 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 3940
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 10 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
очікується: 12000 шт
  • 12000 шт - очікується
на замовлення: 1202 шт
  • 1202 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+0.50 грн
100+0.35 грн
1000+0.25 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
22nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B223K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 3939
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
22nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B223K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 22 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 5637 шт
  • 5490 шт - склад
  • 147 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 8000 шт
  • 8000 шт - очікується
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+0.60 грн
100+0.35 грн
1000+0.25 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847C (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 1253
2 Додати до обраних Обраний товар
BC847C.pdf
BC847C (біполярний транзистор NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 45 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 50 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 800
Монтаж: SMD
у наявності: 2058 шт
  • 501 шт - склад
  • 1131 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 201 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 225 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
23+0.90 грн
100+0.80 грн
1000+0.60 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.