Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > UF3C065030B3

UF3C065030B3

UF3C065030B3-D.PDF
Код товару: 198848
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції UF3C065030B3 за ціною від 926.28 грн до 1831.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : onsemi UF3C065030B3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+926.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : ONSEMI 3750881.pdf Description: ONSEMI - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1324.30 грн
50+1204.91 грн
100+1090.02 грн
250+1067.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : onsemi UF3C065030B3-D.PDF SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1644.05 грн
10+1172.93 грн
800+1019.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : onsemi UF3C065030B3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1676.66 грн
10+1167.40 грн
100+1091.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : ONSEMI 3750881.pdf Description: ONSEMI - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1831.04 грн
5+1577.67 грн
10+1324.30 грн
50+1204.91 грн
100+1090.02 грн
250+1067.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : ON Semiconductor uf3c065030b3d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

0 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4159
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_hitano-datasheet.pdf
0 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 0 Ohm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 100 шт
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 60000 шт
60000 шт - очікується
Кількість Ціна
200+0.10 грн
1000+0.06 грн
10000+0.03 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
4,7nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B472K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 3942
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
4,7nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B472K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 4,7 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 1200 шт
1200 шт - склад
очікується: 12000 шт
12000 шт - очікується 10.08.2026
Кількість Ціна
40+0.50 грн
100+0.35 грн
1000+0.25 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 3940
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується: 12000 шт
12000 шт - очікується 10.08.2026
Кількість Ціна
40+0.50 грн
100+0.35 грн
1000+0.25 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
22nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B223K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 3939
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
22nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B223K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 22 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 7707 шт
7480 шт - склад
227 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 8000 шт
8000 шт - очікується
Кількість Ціна
40+0.60 грн
100+0.35 грн
1000+0.25 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC847C (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 1253
2 Додати до обраних Обраний товар
BC847C.pdf
BC847C (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 800
Монтаж: SMD
у наявності: 5362 шт
3661 шт - склад
1231 шт - РАДІОМАГ-Львів
165 шт - РАДІОМАГ-Харків
305 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
14+1.50 грн
23+0.90 грн
100+0.80 грн
1000+0.60 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.