Продукція > ONSEMI > UF3C065030K3S
UF3C065030K3S

UF3C065030K3S ONSEMI

DS_UF3C065030K3S.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1361.08 грн
5+1278.86 грн
10+1195.83 грн
50+1034.07 грн
100+935.69 грн
250+916.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C065030K3S ONSEMI

Description: ONSEMI - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UF3C065030K3S за ціною від 848.45 грн до 1751.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF3C065030K3S UF3C065030K3S Виробник : Qorvo UF3C065030K3S_Data_Sheet-3177197.pdf MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1513.73 грн
25+1483.76 грн
100+1116.07 грн
250+1002.14 грн
600+988.35 грн
3000+984.00 грн
5400+978.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030K3S UF3C065030K3S Виробник : onsemi DS_UF3C065030K3S.pdf Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1547.18 грн
30+938.52 грн
120+848.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030K3S UF3C065030K3S Виробник : Qorvo / UnitedSiC USCI_S_A0011489077_1-3159562.pdf MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1751.63 грн
10+1587.24 грн
30+1165.41 грн
270+1041.33 грн
510+1040.60 грн
1020+1021.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.