на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1583.07 грн |
| 10+ | 1141.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C065030K3S onsemi
Description: ONSEMI - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3C065030K3S за ціною від 905.54 грн до 1869.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C065030K3S | Виробник : Qorvo |
 MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3C065030K3S | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3C065030K3S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UF3C065030K3S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3C065030K3S | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A Mounting: THT Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate charge: 51nC On-state resistance: 27mΩ Drain current: 62A Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 441W Drain-source voltage: 650V Case: TO247-3 Kind of transistor: cascode Version: ESD |
товару немає в наявності |