Продукція > ONSEMI > UF3C065030K4S
UF3C065030K4S

UF3C065030K4S onsemi

DS_UF3C065030K4S.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1295.65 грн
30+1000.82 грн
120+789.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C065030K4S onsemi

Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 441W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.

Інші пропозиції UF3C065030K4S за ціною від 875.39 грн до 2080.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UF3C065030K4S UF3C065030K4S UnitedSiC USCI_S_A0010757726_1-2575963.pdf MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1529.47 грн
10+1386.04 грн
120+1018.47 грн
270+997.33 грн
510+890.90 грн
1020+875.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030K4S UF3C065030K4S Qorvo UF3C065030K4S_Data_Sheet-3177006.pdf SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1573.88 грн
25+1347.94 грн
100+1011.42 грн
250+903.59 грн
600+902.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030K4S UF3C065030K4S onsemi DS_UF3C065030K4S.pdf SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1841.12 грн
10+1160.71 грн
120+1005.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030K4S UF3C065030K4S ONSEMI 3750883.pdf Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2080.41 грн
5+1705.44 грн
10+1330.48 грн
50+1233.91 грн
100+1136.88 грн
250+1135.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030K4S USCI_S_A0010757726_1-2575963.pdf
UF3C065030K4S
Виробник: UnitedSiC
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1529.47 грн
10+1386.04 грн
120+1018.47 грн
270+997.33 грн
510+890.90 грн
1020+875.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030K4S UF3C065030K4S_Data_Sheet-3177006.pdf
UF3C065030K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1573.88 грн
25+1347.94 грн
100+1011.42 грн
250+903.59 грн
600+902.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030K4S DS_UF3C065030K4S.pdf
UF3C065030K4S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1841.12 грн
10+1160.71 грн
120+1005.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030K4S 3750883.pdf
UF3C065030K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2080.41 грн
5+1705.44 грн
10+1330.48 грн
50+1233.91 грн
100+1136.88 грн
250+1135.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.