UF3C065030K4S onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1349.83 грн |
| 30+ | 1042.68 грн |
| 120+ | 822.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C065030K4S onsemi
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3C065030K4S за ціною від 948.48 грн до 1863.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C065030K4S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C065030K4S | Виробник : UnitedSiC |
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C065030K4S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4 |
на замовлення 4774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C065030K4S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-4 |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C065030K4S | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 62A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 441W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 27mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Version: ESD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |