UF3C065030T3S onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1243.73 грн |
| 50+ | 980.14 грн |
| 100+ | 979.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C065030T3S onsemi
Description: ONSEMI - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 441W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.
Інші пропозиції UF3C065030T3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C065030T3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 441W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UF3C065030T3S | onsemi |
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3 |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UF3C065030T3S | Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3 |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UF3C065030T3S | Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UF3C065030T3S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: ONSEMI - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UF3C065030T3S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UF3C065030T3S |
|
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UF3C065030T3S |
|
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)