Продукція > QORVO > UF3C065040B3
UF3C065040B3

UF3C065040B3 Qorvo


Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+961.03 грн
10+814.87 грн
100+704.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C065040B3 Qorvo

Description: ONSEMI - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції UF3C065040B3 за ціною від 561.04 грн до 1304.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UF3C065040B3 UF3C065040B3 Qorvo UF3C065040B3_Data_Sheet-3177206.pdf SiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1069.81 грн
25+916.73 грн
100+687.20 грн
250+633.64 грн
500+627.29 грн
800+626.59 грн
2400+613.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040B3 UF3C065040B3 onsemi SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1086.25 грн
10+755.43 грн
100+597.69 грн
800+561.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040B3 UF3C065040B3 ONSEMI 3750885.pdf Description: ONSEMI - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1304.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040B3 UF3C065040B3 ONSEMI 3750885.pdf Description: ONSEMI - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040B3 UF3C065040B3_Data_Sheet-3177206.pdf
UF3C065040B3
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1069.81 грн
25+916.73 грн
100+687.20 грн
250+633.64 грн
500+627.29 грн
800+626.59 грн
2400+613.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040B3
UF3C065040B3
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1086.25 грн
10+755.43 грн
100+597.69 грн
800+561.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040B3 3750885.pdf
UF3C065040B3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1304.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040B3 3750885.pdf
UF3C065040B3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.