UF3C065040K3S onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 967.78 грн |
| 30+ | 762.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C065040K3S onsemi
Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 326W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3C065040K3S за ціною від 650.52 грн до 2266.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C065040K3S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF3C065040K3S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-3 |
на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF3C065040K3S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF3C065040K3S | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 326W Version: ESD Gate charge: 51nC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 125A Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|