на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1097.50 грн |
| 25+ | 994.46 грн |
| 100+ | 730.47 грн |
| 600+ | 652.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C065040K3S Qorvo
Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 326W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3C065040K3S за ціною від 683.78 грн до 3197.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C065040K3S | Виробник : onsemi |
 SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-3 |
на замовлення 1307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF3C065040K3S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF3C065040K3S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF3C065040K3S | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of transistor: cascode Version: ESD |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
UF3C065040K3S | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of transistor: cascode Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|