Продукція > ONSEMI > UF3C065040K4S
UF3C065040K4S

UF3C065040K4S onsemi


DS_UF3C065040K4S.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 6578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+930.44 грн
30+734.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C065040K4S onsemi

Description: ONSEMI - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 326W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UF3C065040K4S за ціною від 618.90 грн до 1350.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF3C065040K4S UF3C065040K4S Виробник : ONSEMI DS_UF3C065040K4S.pdf Description: ONSEMI - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1100.89 грн
5+959.23 грн
10+817.57 грн
50+698.29 грн
100+631.39 грн
250+618.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K4S UF3C065040K4S Виробник : onsemi DS_UF3C065040K4S.pdf SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1350.21 грн
10+848.18 грн
120+697.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K4S UF3C065040K4S Виробник : ON Semiconductor uf3c065040k4sd.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.