Продукція > QORVO > UF3C065080B3
UF3C065080B3

UF3C065080B3 Qorvo

da008631
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+312.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C065080B3 Qorvo

Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 115W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції UF3C065080B3 за ціною від 292.18 грн до 811.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo da008631 Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.83 грн
25+391.19 грн
100+337.71 грн
250+292.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.00 грн
25+467.69 грн
100+351.00 грн
250+323.51 грн
800+312.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 ONSEMI 3750889.pdf Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+560.81 грн
50+478.75 грн
100+344.66 грн
250+337.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 UnitedSiC DS_UF3C065080B3-1772619.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.45 грн
10+534.15 грн
100+384.13 грн
500+335.50 грн
800+308.71 грн
2400+303.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo / UnitedSiC UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+664.42 грн
10+560.90 грн
100+406.68 грн
800+322.81 грн
2400+302.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 onsemi da008631 SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+810.78 грн
10+552.79 грн
100+374.26 грн
500+360.17 грн
800+348.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 ONSEMI 3750889.pdf Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+811.61 грн
5+686.62 грн
10+560.81 грн
50+478.75 грн
100+344.66 грн
250+337.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 da008631
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+467.83 грн
25+391.19 грн
100+337.71 грн
250+292.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+546.00 грн
25+467.69 грн
100+351.00 грн
250+323.51 грн
800+312.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+560.81 грн
50+478.75 грн
100+344.66 грн
250+337.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 DS_UF3C065080B3-1772619.pdf
UF3C065080B3
Виробник: UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+599.45 грн
10+534.15 грн
100+384.13 грн
500+335.50 грн
800+308.71 грн
2400+303.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+664.42 грн
10+560.90 грн
100+406.68 грн
800+322.81 грн
2400+302.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 da008631
UF3C065080B3
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+810.78 грн
10+552.79 грн
100+374.26 грн
500+360.17 грн
800+348.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+811.61 грн
5+686.62 грн
10+560.81 грн
50+478.75 грн
100+344.66 грн
250+337.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.