UF3C065080B3 Qorvo
Виробник: QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 327.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C065080B3 Qorvo
Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3C065080B3 за ціною від 305.85 грн до 794.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UF3C065080B3 | Виробник : Qorvo |
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
на замовлення 12452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C065080B3 | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3 |
на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C065080B3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C065080B3 | Виробник : UnitedSiC |
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
UF3C065080B3 | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L |
на замовлення 1707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
UF3C065080B3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C065080B3 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3 |
на замовлення 1287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|