Продукція > ONSEMI > UF3C065080B3
UF3C065080B3

UF3C065080B3 onsemi

UF3C065080B3-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+366.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C065080B3 onsemi

Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 115W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції UF3C065080B3 за ціною від 317.80 грн до 875.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+573.87 грн
25+491.56 грн
100+368.92 грн
250+340.03 грн
800+328.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 UnitedSiC DS_UF3C065080B3-1772619.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 219 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+630.05 грн
10+561.42 грн
100+403.74 грн
500+352.62 грн
800+324.47 грн
2400+319.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo / UnitedSiC UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+698.33 грн
10+589.53 грн
100+427.44 грн
800+339.29 грн
2400+317.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 onsemi UF3C065080B3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
на замовлення 10109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+833.66 грн
10+554.65 грн
50+448.54 грн
100+382.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 onsemi UF3C065080B3-D.PDF SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+875.50 грн
10+497.52 грн
100+393.36 грн
500+371.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 ONSEMI UF3C065080B3-D.PDF Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3 ONSEMI UF3C065080B3-D.PDF Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+573.87 грн
25+491.56 грн
100+368.92 грн
250+340.03 грн
800+328.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 DS_UF3C065080B3-1772619.pdf
UF3C065080B3
Виробник: UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 219 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+630.05 грн
10+561.42 грн
100+403.74 грн
500+352.62 грн
800+324.47 грн
2400+319.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+698.33 грн
10+589.53 грн
100+427.44 грн
800+339.29 грн
2400+317.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3-D.PDF
UF3C065080B3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
на замовлення 10109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+833.66 грн
10+554.65 грн
50+448.54 грн
100+382.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3-D.PDF
UF3C065080B3
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+875.50 грн
10+497.52 грн
100+393.36 грн
500+371.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3-D.PDF
UF3C065080B3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B3 UF3C065080B3-D.PDF
UF3C065080B3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.