Продукція > ONSEMI > UF3C065080B7S
UF3C065080B7S

UF3C065080B7S onsemi

UF3C065080B7S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+408.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C065080B7S onsemi

Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V, Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V.

Інші пропозиції UF3C065080B7S за ціною від 370.74 грн до 921.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+645.50 грн
25+553.61 грн
100+415.85 грн
250+382.02 грн
500+381.31 грн
800+370.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo / UnitedSiC UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+800.92 грн
10+713.28 грн
100+513.82 грн
500+447.56 грн
800+419.37 грн
2400+411.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7S UF3C065080B7S onsemi UF3C065080B7S-D.PDF Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 15461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.95 грн
10+559.46 грн
100+481.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7S UF3C065080B7S onsemi UF3C065080B7S-D.PDF SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+921.79 грн
10+633.04 грн
100+442.63 грн
500+413.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7S UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf
UF3C065080B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+645.50 грн
25+553.61 грн
100+415.85 грн
250+382.02 грн
500+381.31 грн
800+370.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7S UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf
UF3C065080B7S
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+800.92 грн
10+713.28 грн
100+513.82 грн
500+447.56 грн
800+419.37 грн
2400+411.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7S UF3C065080B7S-D.PDF
UF3C065080B7S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 15461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+834.95 грн
10+559.46 грн
100+481.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7S UF3C065080B7S-D.PDF
UF3C065080B7S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+921.79 грн
10+633.04 грн
100+442.63 грн
500+413.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.