UF3C065080K4S QORVO
Виробник: QORVODescription: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 375.42 грн |
| 5+ | 366.37 грн |
| 10+ | 357.31 грн |
| 50+ | 323.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C065080K4S QORVO
Description: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3C065080K4S за ціною від 361.08 грн до 1947.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C065080K4S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 12976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF3C065080K4S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4 |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF3C065080K4S | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A Case: TO247-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 23A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Power dissipation: 190W Polarisation: unipolar Version: ESD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 43nC Technology: SiC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 65A Mounting: THT |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|