UF3C065080K4S onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 12976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 540.78 грн |
| 30+ | 427.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C065080K4S onsemi
Description: ONSEMI - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3C065080K4S за ціною від 340.49 грн до 758.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C065080K4S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF3C065080K4S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4 |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF3C065080K4S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-4 |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF3C065080K4S | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A Mounting: THT Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 80mΩ Drain current: 23A Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 190W Drain-source voltage: 650V Case: TO247-4 Kind of transistor: cascode Version: ESD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |