Продукція > QORVO > UF3C065080T3S
UF3C065080T3S

UF3C065080T3S Qorvo

UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 950 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+585.11 грн
25+501.78 грн
100+376.33 грн
250+346.69 грн
500+322.25 грн
1000+310.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C065080T3S Qorvo

Description: ONSEMI - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 190W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції UF3C065080T3S за ціною від 319.28 грн до 891.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UF3C065080T3S UF3C065080T3S UnitedSiC DS_UF3C065080T3S-1623603.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 412 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+618.81 грн
10+552.04 грн
50+479.30 грн
100+397.07 грн
500+345.21 грн
1000+324.47 грн
2500+319.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo / UnitedSiC UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 188 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+711.29 грн
10+633.83 грн
50+550.41 грн
100+456.33 грн
500+397.07 грн
1000+372.62 грн
2500+366.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S onsemi UF3C065080T3S-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.16 грн
10+563.45 грн
50+456.00 грн
100+395.53 грн
500+338.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S onsemi UF3C065080T3S-D.PDF SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220
на замовлення 469 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+891.06 грн
10+506.04 грн
100+407.44 грн
500+374.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S ONSEMI UF3C065080T3S-D.PDF Description: ONSEMI - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S DS_UF3C065080T3S-1623603.pdf
UF3C065080T3S
Виробник: UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 412 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+618.81 грн
10+552.04 грн
50+479.30 грн
100+397.07 грн
500+345.21 грн
1000+324.47 грн
2500+319.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf
UF3C065080T3S
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 188 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+711.29 грн
10+633.83 грн
50+550.41 грн
100+456.33 грн
500+397.07 грн
1000+372.62 грн
2500+366.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S-D.PDF
UF3C065080T3S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+846.16 грн
10+563.45 грн
50+456.00 грн
100+395.53 грн
500+338.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S-D.PDF
UF3C065080T3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220
на замовлення 469 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+891.06 грн
10+506.04 грн
100+407.44 грн
500+374.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S-D.PDF
UF3C065080T3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.