Продукція > ONSEMI > UF3C065080T3S
UF3C065080T3S

UF3C065080T3S onsemi

da008635
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+474.17 грн
50+374.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C065080T3S onsemi

Description: ONSEMI - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 190W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції UF3C065080T3S за ціною від 295.32 грн до 790.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.69 грн
25+477.41 грн
100+358.05 грн
250+329.86 грн
500+306.60 грн
1000+295.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S UnitedSiC DS_UF3C065080T3S-1623603.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+588.76 грн
10+525.24 грн
50+456.02 грн
100+377.79 грн
500+328.45 грн
1000+308.71 грн
2500+303.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo / UnitedSiC UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+676.75 грн
10+603.05 грн
50+523.69 грн
100+434.17 грн
500+377.79 грн
1000+354.53 грн
2500+348.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S onsemi da008635 SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+790.23 грн
10+454.72 грн
100+364.39 грн
500+323.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S ONSEMI 3750892.pdf Description: ONSEMI - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+790.23 грн
5+625.77 грн
10+461.31 грн
50+411.56 грн
100+364.39 грн
250+357.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf
UF3C065080T3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+556.69 грн
25+477.41 грн
100+358.05 грн
250+329.86 грн
500+306.60 грн
1000+295.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S DS_UF3C065080T3S-1623603.pdf
UF3C065080T3S
Виробник: UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+588.76 грн
10+525.24 грн
50+456.02 грн
100+377.79 грн
500+328.45 грн
1000+308.71 грн
2500+303.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf
UF3C065080T3S
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+676.75 грн
10+603.05 грн
50+523.69 грн
100+434.17 грн
500+377.79 грн
1000+354.53 грн
2500+348.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S da008635
UF3C065080T3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+790.23 грн
10+454.72 грн
100+364.39 грн
500+323.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080T3S 3750892.pdf
UF3C065080T3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+790.23 грн
5+625.77 грн
10+461.31 грн
50+411.56 грн
100+364.39 грн
250+357.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.