Продукція > ONSEMI > UF3C120040K4S
UF3C120040K4S

UF3C120040K4S onsemi


UF3C120040K4S-D.PDF Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2162.39 грн
30+1381.45 грн
120+1315.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C120040K4S onsemi

Description: ONSEMI - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UF3C120040K4S за ціною від 1210.73 грн до 2273.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF3C120040K4S UF3C120040K4S Виробник : ONSEMI 3750894.pdf Description: ONSEMI - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2220.16 грн
5+2184.96 грн
10+2148.90 грн
50+1714.79 грн
100+1323.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K4S UF3C120040K4S Виробник : onsemi UF3C120040K4S_D-3579378.pdf SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2273.25 грн
10+2239.01 грн
30+1263.54 грн
120+1210.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.