Продукція > ONSEMI > UF3C120040K4S
UF3C120040K4S

UF3C120040K4S onsemi

UF3C120040K4S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 9443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1856.25 грн
30+1156.01 грн
120+1102.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C120040K4S onsemi

Description: ONSEMI - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 429W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Інші пропозиції UF3C120040K4S за ціною від 1225.69 грн до 2086.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UF3C120040K4S UF3C120040K4S ONSEMI 3750894.pdf Description: ONSEMI - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1951.31 грн
5+1821.39 грн
10+1690.64 грн
50+1449.24 грн
100+1225.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K4S UF3C120040K4S onsemi UF3C120040K4S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2086.99 грн
10+1347.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K4S 3750894.pdf
UF3C120040K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1951.31 грн
5+1821.39 грн
10+1690.64 грн
50+1449.24 грн
100+1225.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K4S UF3C120040K4S-D.PDF
UF3C120040K4S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2086.99 грн
10+1347.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.