Продукція > ONSEMI > UF3C120080B7S
UF3C120080B7S

UF3C120080B7S onsemi

UF3C120080B7S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+659.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C120080B7S onsemi

Description: ONSEMI - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UF3C120080B7S за ціною від 614.61 грн до 1360.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1069.81 грн
25+916.73 грн
100+687.20 грн
250+633.64 грн
500+614.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo / UnitedSiC UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf MOSFET 1200V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1171.77 грн
10+1061.82 грн
100+780.24 грн
500+696.37 грн
800+683.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S UF3C120080B7S onsemi UF3C120080B7S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1202.87 грн
10+824.19 грн
100+777.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S UF3C120080B7S ONSEMI 3971394.pdf Description: ONSEMI - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1279.49 грн
5+1095.30 грн
10+910.28 грн
50+820.06 грн
100+713.99 грн
250+699.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S UF3C120080B7S onsemi UF3C120080B7S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1360.08 грн
10+954.02 грн
100+730.90 грн
500+682.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf
UF3C120080B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1069.81 грн
25+916.73 грн
100+687.20 грн
250+633.64 грн
500+614.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf
UF3C120080B7S
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 1200V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1171.77 грн
10+1061.82 грн
100+780.24 грн
500+696.37 грн
800+683.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S UF3C120080B7S-D.PDF
UF3C120080B7S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1202.87 грн
10+824.19 грн
100+777.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S 3971394.pdf
UF3C120080B7S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1279.49 грн
5+1095.30 грн
10+910.28 грн
50+820.06 грн
100+713.99 грн
250+699.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S UF3C120080B7S-D.PDF
UF3C120080B7S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1360.08 грн
10+954.02 грн
100+730.90 грн
500+682.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.