UF3C120080B7S onsemi
Виробник: onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 713.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C120080B7S onsemi
Description: QORVO - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3C120080B7S за ціною від 632.78 грн до 1206.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C120080B7S | Виробник : QORVO |
Description: QORVO - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF3C120080B7S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7 |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
UF3C120080B7S | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V |
на замовлення 4103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF3C120080B7S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 1842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|