Продукція > ONSEMI > UF3C120080K4S
UF3C120080K4S

UF3C120080K4S onsemi

UF3C120080K4S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1321.37 грн
30+799.10 грн
120+717.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C120080K4S onsemi

Description: ONSEMI - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 254.2W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції UF3C120080K4S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UF3C120080K4S UF3C120080K4S ONSEMI 3750896.pdf Description: ONSEMI - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4S UF3C120080K4S onsemi UF3C120080K4S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4S UF3C120080K4S Qorvo UF3C120080K4S_Data_Sheet-3177055.pdf SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4S 3750896.pdf
UF3C120080K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4S UF3C120080K4S-D.PDF
UF3C120080K4S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4S UF3C120080K4S_Data_Sheet-3177055.pdf
UF3C120080K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.