Продукція > ONSEMI > UF3C120150B7S
UF3C120150B7S

UF3C120150B7S onsemi

UF3C120150B7S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 136800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+368.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C120150B7S onsemi

Description: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm.

Інші пропозиції UF3C120150B7S за ціною від 433.89 грн до 767.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UF3C120150B7S UF3C120150B7S onsemi UF3C120150B7S-D.PDF Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 137995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+767.00 грн
10+511.95 грн
100+433.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S ONSEMI 3971395.pdf Description: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S onsemi UF3C120150B7S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S-D.PDF
UF3C120150B7S
Виробник: onsemi
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 137995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+767.00 грн
10+511.95 грн
100+433.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S 3971395.pdf
UF3C120150B7S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S-D.PDF
UF3C120150B7S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.