UF3C120150B7S onsemi
Виробник: onsemi
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 371.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C120150B7S onsemi
Description: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції UF3C120150B7S за ціною від 337.90 грн до 803.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C120150B7S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7 |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C120150B7S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 4969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
UF3C120150B7S | Виробник : onsemi |
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V |
на замовлення 137995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C120150B7S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7 |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C120150B7S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|