Продукція > ONSEMI > UF3C120150B7S
UF3C120150B7S

UF3C120150B7S onsemi

UF3C120150B7S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 136800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+377.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C120150B7S onsemi

Description: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції UF3C120150B7S за ціною від 343.25 грн до 868.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo UF3C120150B7S_Data_Sheet-3177065.pdf SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+598.63 грн
25+512.27 грн
100+384.13 грн
250+353.82 грн
500+353.12 грн
800+343.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo / UnitedSiC UF3C120150B7S_Data_Sheet-3177065.pdf MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+748.29 грн
10+667.08 грн
100+479.99 грн
500+436.29 грн
800+397.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S onsemi UF3C120150B7S-D.PDF Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 137995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+786.59 грн
10+525.02 грн
100+444.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S ONSEMI 3971395.pdf Description: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+816.54 грн
5+692.37 грн
10+567.38 грн
50+484.86 грн
100+378.49 грн
250+370.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S onsemi UF3C120150B7S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+868.35 грн
10+594.13 грн
100+409.50 грн
500+382.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S_Data_Sheet-3177065.pdf
UF3C120150B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+598.63 грн
25+512.27 грн
100+384.13 грн
250+353.82 грн
500+353.12 грн
800+343.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S_Data_Sheet-3177065.pdf
UF3C120150B7S
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+748.29 грн
10+667.08 грн
100+479.99 грн
500+436.29 грн
800+397.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S-D.PDF
UF3C120150B7S
Виробник: onsemi
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 137995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+786.59 грн
10+525.02 грн
100+444.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S 3971395.pdf
UF3C120150B7S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+816.54 грн
5+692.37 грн
10+567.38 грн
50+484.86 грн
100+378.49 грн
250+370.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S-D.PDF
UF3C120150B7S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+868.35 грн
10+594.13 грн
100+409.50 грн
500+382.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.