Продукція > ONSEMI > UF3C120150K4S
UF3C120150K4S

UF3C120150K4S ONSEMI

3750897.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+733.69 грн
5+589.46 грн
10+444.33 грн
50+406.77 грн
100+369.34 грн
250+361.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C120150K4S ONSEMI

Description: ONSEMI - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166.7W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UF3C120150K4S за ціною від 459.98 грн до 1045.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF3C120150K4S UF3C120150K4S Виробник : Qorvo UF3C120150K4S_Data_Sheet-3177199.pdf SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+801.23 грн
25+686.01 грн
100+515.08 грн
250+474.35 грн
600+460.78 грн
3000+459.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150K4S UF3C120150K4S Виробник : onsemi UF3C120150K4S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+888.81 грн
10+534.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150K4S UF3C120150K4S Виробник : onsemi UF3C120150K4S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+973.55 грн
30+567.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150K4S UF3C120150K4S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UF3C120150K4S_Data_Sheet-3177199.pdf MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1045.33 грн
10+931.21 грн
120+670.00 грн
510+582.96 грн
1020+528.65 грн
2520+519.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.