на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 766.22 грн |
| 25+ | 656.03 грн |
| 100+ | 492.57 грн |
| 250+ | 453.62 грн |
| 600+ | 440.64 грн |
| 3000+ | 439.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C120150K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166.7W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3C120150K4S за ціною від 455.27 грн до 999.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C120150K4S | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 166.7W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C120150K4S | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C120150K4S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO247-4 |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C120150K4S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|