Продукція > ONSEMI > UF3C120400B7S
UF3C120400B7S

UF3C120400B7S onsemi

UF3C120400B7S-D.PDF Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+265.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C120400B7S onsemi

Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V.

Інші пропозиції UF3C120400B7S за ціною від 221.58 грн до 604.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF3C120400B7S UF3C120400B7S Виробник : QORVO UF3C120400B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+364.72 грн
5+349.08 грн
10+332.61 грн
50+294.33 грн
100+234.29 грн
250+221.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S Виробник : Qorvo UF3C120400B7S_Data_Sheet-3177191.pdf SiC MOSFETs UF3C120400B7S
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.97 грн
25+367.14 грн
100+275.95 грн
250+253.93 грн
500+245.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S Виробник : onsemi UF3C120400B7S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.15 грн
10+375.36 грн
100+312.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S Виробник : United Silicon Carbide unitedsic20sic20fet20user20guide.pdf Switching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.