
UF3C120400B7S QORVO

Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 365.60 грн |
5+ | 349.92 грн |
10+ | 333.41 грн |
50+ | 295.04 грн |
100+ | 234.85 грн |
250+ | 222.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C120400B7S QORVO
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V.
Інші пропозиції UF3C120400B7S за ціною від 246.45 грн до 605.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
UF3C120400B7S | Виробник : Qorvo |
![]() |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
UF3C120400B7S | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
UF3C120400B7S | Виробник : United Silicon Carbide |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
UF3C120400B7S | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |