
UF3C120400B7S onsemi

Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 265.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C120400B7S onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V.
Інші пропозиції UF3C120400B7S за ціною від 221.58 грн до 604.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
UF3C120400B7S | Виробник : QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C120400B7S | Виробник : Qorvo |
![]() |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C120400B7S | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
UF3C120400B7S | Виробник : United Silicon Carbide |
![]() |
товару немає в наявності |