UF3C120400K3S onsemi
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 689.68 грн |
| 30+ | 393.96 грн |
| 120+ | 334.69 грн |
| 510+ | 289.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C120400K3S onsemi
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3C120400K3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C120400K3S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3 |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UF3C120400K3S | Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UF3C120400K3S | Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 1196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UF3C120400K3S | QORVO |
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UF3C120400K3S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
SiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UF3C120400K3S |
|
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
SiC MOSFETs 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UF3C120400K3S |
|
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
MOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UF3C120400K3S |
|
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)