Продукція > QORVO > UF3C120400K3S
UF3C120400K3S

UF3C120400K3S QORVO

UF3C120400K3S-D.PDF Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+475.31 грн
5+454.91 грн
10+434.50 грн
50+384.52 грн
100+306.11 грн
250+301.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C120400K3S QORVO

Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UF3C120400K3S за ціною від 320.62 грн до 792.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF3C120400K3S UF3C120400K3S Виробник : Qorvo UF3C120400K3S_Data_Sheet-3177208.pdf SiC MOSFETs 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.77 грн
25+480.29 грн
100+360.04 грн
250+321.38 грн
600+320.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S Виробник : onsemi UF3C120400K3S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+746.13 грн
30+402.60 грн
120+379.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S Виробник : onsemi UF3C120400K3S_D-3579385.pdf SiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+780.84 грн
10+427.99 грн
120+335.03 грн
510+332.75 грн
1020+325.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UF3C120400K3S_Data_Sheet-3177208.pdf MOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+792.34 грн
10+705.18 грн
100+508.60 грн
600+441.90 грн
1200+372.17 грн
3000+357.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S Виробник : United Silicon Carbide unitedsic20sic20fet20user20guide.pdf Switching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.