Продукція > QORVO > UF3C120400K3S

UF3C120400K3S Qorvo


UF3C120400K3S_Data_Sheet-3177208.pdf
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1016 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+520.51 грн
25+446.61 грн
100+334.79 грн
250+298.85 грн
600+298.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C120400K3S Qorvo

Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V.

Інші пропозиції UF3C120400K3S за ціною від 297.07 грн до 773.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UF3C120400K3S UF3C120400K3S onsemi UF3C120400K3S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.29 грн
30+404.03 грн
120+343.23 грн
510+297.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S Qorvo / UnitedSiC UF3C120400K3S_Data_Sheet-3177208.pdf MOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+736.78 грн
10+655.73 грн
100+472.94 грн
600+410.91 грн
1200+346.07 грн
3000+332.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S onsemi UF3C120400K3S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+773.78 грн
10+457.15 грн
120+336.91 грн
510+332.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+707.29 грн
30+404.03 грн
120+343.23 грн
510+297.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S_Data_Sheet-3177208.pdf
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+736.78 грн
10+655.73 грн
100+472.94 грн
600+410.91 грн
1200+346.07 грн
3000+332.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S-D.PDF
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+773.78 грн
10+457.15 грн
120+336.91 грн
510+332.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.