Продукція > QORVO > UF3C170400B7S
UF3C170400B7S

UF3C170400B7S Qorvo

UF3C170400B7S_Data_Sheet-3177196.pdf
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UF3C170400B7S
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+540.25 грн
25+462.82 грн
100+346.77 грн
250+319.99 грн
500+310.83 грн
2400+310.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C170400B7S Qorvo

Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V.

Інші пропозиції UF3C170400B7S за ціною від 295.32 грн до 773.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UF3C170400B7S UF3C170400B7S UnitedSiC DS_UF3C170400B7S-3108065.pdf MOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, ENHANCED Rth
на замовлення 800 шт:
термін постачання 50-59 дні (днів)
1+583.01 грн
10+519.56 грн
100+373.56 грн
500+325.63 грн
1000+305.19 грн
2500+295.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S onsemi UF3C170400B7S_D-3579513.pdf SiC MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+747.47 грн
10+511.46 грн
100+370.03 грн
500+356.64 грн
800+345.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S onsemi UF3C170400B7S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+773.11 грн
10+513.95 грн
100+399.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S DS_UF3C170400B7S-3108065.pdf
UF3C170400B7S
Виробник: UnitedSiC
MOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, ENHANCED Rth
на замовлення 800 шт:
термін постачання 50-59 дні (днів)
КількістьЦіна
1+583.01 грн
10+519.56 грн
100+373.56 грн
500+325.63 грн
1000+305.19 грн
2500+295.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S_D-3579513.pdf
UF3C170400B7S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+747.47 грн
10+511.46 грн
100+370.03 грн
500+356.64 грн
800+345.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S-D.PDF
UF3C170400B7S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+773.11 грн
10+513.95 грн
100+399.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.