Продукція > ONSEMI > UF3N170400B7S
UF3N170400B7S

UF3N170400B7S onsemi

uf3n170400b7s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+375.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3N170400B7S onsemi

Description: ONSEMI - UF3N170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -6.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UF3N170400B7S за ціною від 383.98 грн до 789.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF3N170400B7S UF3N170400B7S Виробник : Qorvo UF3N170400B7S_Data_Sheet-3177149.pdf JFETs 1700V/400mO,SIC,JFET,G3,TO263-7
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+671.09 грн
25+575.07 грн
100+431.60 грн
250+397.37 грн
500+384.72 грн
2400+383.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S UF3N170400B7S Виробник : ONSEMI uf3n170400b7s-d.pdf Description: ONSEMI - UF3N170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -6.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+788.86 грн
5+677.83 грн
10+566.81 грн
50+483.69 грн
100+406.41 грн
250+398.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S UF3N170400B7S Виробник : onsemi uf3n170400b7s-d.pdf Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 6961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+789.66 грн
10+531.36 грн
100+443.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S Виробник : United Silicon Carbide ds_uf3n170400b7s.pdf 1700V - 400mW SiC Normally-on JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S Виробник : United Silicon Carbide ds_uf3n170400b7s.pdf UF3N170400B7S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.