Продукція > ONSEMI > UF3N170400B7S
UF3N170400B7S

UF3N170400B7S onsemi

UF3N170400B7S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+342.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3N170400B7S onsemi

Description: ONSEMI - UF3N170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -6.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400mohm.

Інші пропозиції UF3N170400B7S за ціною від 368.59 грн до 844.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UF3N170400B7S UF3N170400B7S Qorvo UF3N170400B7S_Data_Sheet-3177149.pdf JFETs 1700V/400mO,SIC,JFET,G3,TO263-7
на замовлення 220 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+659.53 грн
25+565.17 грн
100+424.17 грн
250+390.53 грн
500+378.10 грн
2400+377.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S UF3N170400B7S onsemi UF3N170400B7S-D.PDF Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 3756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+779.80 грн
10+518.59 грн
50+419.48 грн
100+379.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S UF3N170400B7S onsemi UF3N170400B7S-D.PDF JFETs 1700V/400MOSICJFETG3TO263-7
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+844.68 грн
10+465.93 грн
100+389.80 грн
500+368.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S UF3N170400B7S ONSEMI 3971405.pdf Description: ONSEMI - UF3N170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -6.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400mohm
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S UF3N170400B7S_Data_Sheet-3177149.pdf
UF3N170400B7S
Виробник: Qorvo
JFETs 1700V/400mO,SIC,JFET,G3,TO263-7
на замовлення 220 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+659.53 грн
25+565.17 грн
100+424.17 грн
250+390.53 грн
500+378.10 грн
2400+377.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S UF3N170400B7S-D.PDF
UF3N170400B7S
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 3756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+779.80 грн
10+518.59 грн
50+419.48 грн
100+379.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S UF3N170400B7S-D.PDF
UF3N170400B7S
Виробник: onsemi
JFETs 1700V/400MOSICJFETG3TO263-7
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+844.68 грн
10+465.93 грн
100+389.80 грн
500+368.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S 3971405.pdf
UF3N170400B7S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3N170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -6.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400mohm
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.