UF3SC065007K4S onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 100 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3SC065007K4S onsemi
Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 6700 µohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 789W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3SC065007K4S за ціною від 3857.97 грн до 6682.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3SC065007K4S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 650V/7MOSICFETG3TO247-4 |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3SC065007K4S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 6700 µohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 789W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3SC065007K4S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/7mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-4L |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UF3SC065007K4S | Виробник : Qorvo |
MOSFET 650V/7mOhms,SiCFET,G3,TO247-4 |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| UF3SC065007K4S | Виробник : Silicon General |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Група товару: Силові MOSFET-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |