UF3SC065007K4S onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4840.06 грн |
| 30+ | 3615.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3SC065007K4S onsemi
Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 6700 µohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 789W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm.
Інші пропозиції UF3SC065007K4S за ціною від 3846.38 грн до 5146.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3SC065007K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 6700 µohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 789W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
UF3SC065007K4S | onsemi |
SiC MOSFETs 650V/7MOSICFETG3TO247-4 |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
UF3SC065007K4S | Qorvo |
MOSFET 650V/7mOhms,SiCFET,G3,TO247-4 |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
UF3SC065007K4S | Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/7mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-4L |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UF3SC065007K4S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 6700 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 6700 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5146.12 грн |
| 5+ | 4888.45 грн |
| 10+ | 4515.35 грн |
| 50+ | 3846.38 грн |
| UF3SC065007K4S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/7MOSICFETG3TO247-4
SiC MOSFETs 650V/7MOSICFETG3TO247-4
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UF3SC065007K4S |
|
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/7mOhms,SiCFET,G3,TO247-4
MOSFET 650V/7mOhms,SiCFET,G3,TO247-4
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UF3SC065007K4S |
|
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/7mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-4L
MOSFET 650V/7mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-4L
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)