Продукція > ONSEMI > UF3SC065030B7S
UF3SC065030B7S

UF3SC065030B7S onsemi

da008647
Виробник: onsemi
Description: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+829.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3SC065030B7S onsemi

Description: ONSEMI - UF3SC065030B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UF3SC065030B7S за ціною від 773.60 грн до 1240.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S onsemi da008647 Description: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1240.18 грн
25+1037.90 грн
100+895.76 грн
250+773.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S ONSEMI 3971368.pdf Description: ONSEMI - UF3SC065030B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S onsemi da008647 SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S Qorvo UF3SC065030B7S_Data_Sheet-3177150.pdf SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S Qorvo / UnitedSiC UF3SC065030B7S_Data_Sheet-3177150.pdf MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST STACK CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S da008647
UF3SC065030B7S
Виробник: onsemi
Description: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1240.18 грн
25+1037.90 грн
100+895.76 грн
250+773.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S 3971368.pdf
UF3SC065030B7S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC065030B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S da008647
UF3SC065030B7S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S_Data_Sheet-3177150.pdf
UF3SC065030B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S_Data_Sheet-3177150.pdf
UF3SC065030B7S
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST STACK CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.