UF3SC065030B7S onsemi
Виробник: onsemi
Description: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 837.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3SC065030B7S onsemi
Description: ONSEMI - UF3SC065030B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3SC065030B7S за ціною від 780.99 грн до 1622.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UF3SC065030B7S | Виробник : onsemi |
Description: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 2624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3SC065030B7S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-7 |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3SC065030B7S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-7 |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3SC065030B7S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST STACK CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth |
на замовлення 1163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3SC065030B7S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3SC065030B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|