Продукція > QORVO > UF3SC065040B7S
UF3SC065040B7S

UF3SC065040B7S Qorvo

da008649
Виробник: Qorvo
Description: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+568.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3SC065040B7S Qorvo

Description: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D2PAK-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції UF3SC065040B7S за ціною від 529.22 грн до 849.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S Qorvo da008649 Description: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+849.01 грн
25+710.03 грн
100+612.63 грн
250+529.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S onsemi da008649 SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO263
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S Qorvo UF3SC065040B7S_Data_Sheet-3177163.pdf SiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S ONSEMI 3971369.pdf Description: ONSEMI - UF3SC065040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 42 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065040B7S da008649
UF3SC065040B7S
Виробник: Qorvo
Description: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+849.01 грн
25+710.03 грн
100+612.63 грн
250+529.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065040B7S da008649
UF3SC065040B7S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO263
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S_Data_Sheet-3177163.pdf
UF3SC065040B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065040B7S 3971369.pdf
UF3SC065040B7S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC065040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 42 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.