UF3SC065040B7S Qorvo
Виробник: Qorvo
Description: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3SC065040B7S Qorvo
Description: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D2PAK-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції UF3SC065040B7S за ціною від 545.17 грн до 1318.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UF3SC065040B7S | Qorvo |
Description: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 8450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3SC065040B7S | Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-7 |
на замовлення 859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3SC065040B7S | onsemi |
SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO263 |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UF3SC065040B7S |
|
Виробник: Qorvo
Description: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 874.60 грн |
| 25+ | 731.43 грн |
| 100+ | 631.09 грн |
| 250+ | 545.17 грн |
| UF3SC065040B7S |
|
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-7
SiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1028.69 грн |
| 25+ | 880.26 грн |
| 100+ | 660.42 грн |
| 250+ | 602.63 грн |
| 800+ | 589.94 грн |
| 2400+ | 587.82 грн |
| 4800+ | 587.12 грн |
| UF3SC065040B7S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO263
SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO263
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1318.96 грн |
| 10+ | 924.03 грн |
| 100+ | 703.42 грн |
| 500+ | 677.34 грн |
| 800+ | 656.19 грн |