UF3SC120009K4S onsemi
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8512 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4575.83 грн |
| 30+ | 3108.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3SC120009K4S onsemi
Description: ONSEMI - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 8600 µohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 789W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm.
Інші пропозиції UF3SC120009K4S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3SC120009K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 8600 µohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 789W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UF3SC120009K4S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/9MOSICFETG3TO247 |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UF3SC120009K4S | Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/9mO,SICFET,G3,TO247-4 |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UF3SC120009K4S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 8600 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
Description: ONSEMI - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 8600 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UF3SC120009K4S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/9MOSICFETG3TO247
SiC MOSFETs 1200V/9MOSICFETG3TO247
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UF3SC120009K4S |
|
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/9mO,SICFET,G3,TO247-4
SiC MOSFETs 1200V/9mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)