UF3SC120009K4S onsemi
Виробник: onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8512 pF @ 100 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4446.08 грн |
| 30+ | 3231.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3SC120009K4S onsemi
Description: QORVO - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 789W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3SC120009K4S за ціною від 3116.72 грн до 8605.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3SC120009K4S | Виробник : United Silicon Carbide |
1200V-8.6mW SiC FET |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3SC120009K4S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/9mO,SICFET,G3,TO247-4 |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3SC120009K4S | Виробник : QORVO |
Description: QORVO - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 789W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|