UF3SC120016K3S onsemi
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4009.37 грн |
| 30+ | 2655.93 грн |
| 120+ | 2645.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3SC120016K3S onsemi
Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 517W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3SC120016K3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3SC120016K3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UF3SC120016K3S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24 |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UF3SC120016K3S | Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UF3SC120016K3S | Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/16mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-3L |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UF3SC120016K3S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UF3SC120016K3S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24
SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UF3SC120016K3S |
|
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-3
SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UF3SC120016K3S |
|
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 1200V/16mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-3L
MOSFET 1200V/16mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-3L
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)