Продукція > ONSEMI > UF3SC120016K3S
UF3SC120016K3S

UF3SC120016K3S onsemi


UF3SC120016K3S-D.PDF Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3948.81 грн
30+2787.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3SC120016K3S onsemi

Description: QORVO - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 517W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UF3SC120016K3S за ціною від 2588.86 грн до 4930.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF3SC120016K3S UF3SC120016K3S Виробник : QORVO 3750902.pdf Description: QORVO - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3996.85 грн
5+3748.44 грн
10+3499.20 грн
50+2875.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K3S UF3SC120016K3S Виробник : onsemi UF3SC120016K3S_Data_Sheet-3555100.pdf SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4211.66 грн
25+3632.02 грн
100+2738.21 грн
250+2588.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K3S UF3SC120016K3S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UF3SC120016K3S_Data_Sheet-3177192.pdf MOSFET 1200V/16mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-3L
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4839.07 грн
10+4450.99 грн
120+3367.22 грн
510+3309.10 грн
5010+3308.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K3S UF3SC120016K3S Виробник : Qorvo UF3SC120016K3S_Data_Sheet-3177192.pdf SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4930.91 грн
25+4223.40 грн
100+3169.32 грн
250+2918.45 грн
600+2891.23 грн
3000+2890.49 грн
5400+2889.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.