UF3SC120016K4S ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3673.41 грн |
| 5+ | 3319.66 грн |
| 10+ | 2965.92 грн |
| 50+ | 2699.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3SC120016K4S ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 517W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3SC120016K4S за ціною від 3179.51 грн до 5352.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3SC120016K4S | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3SC120016K4S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24 |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3SC120016K4S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-4 |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|