UF3SC120016K4S ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4389.42 грн |
| 5+ | 4169.87 грн |
| 10+ | 3367.30 грн |
| 50+ | 3064.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3SC120016K4S ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 517W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.
Інші пропозиції UF3SC120016K4S за ціною від 3229.86 грн до 5437.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3SC120016K4S | onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3SC120016K4S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24 |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3SC120016K4S | Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-4 |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UF3SC120016K4S |
|
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4419.79 грн |
| 30+ | 3229.86 грн |
| UF3SC120016K4S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24
SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4996.27 грн |
| 10+ | 3992.77 грн |
| UF3SC120016K4S |
|
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-4
SiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5437.02 грн |
| 25+ | 4657.42 грн |
| 100+ | 3494.53 грн |
| 250+ | 3397.96 грн |
| 600+ | 3367.66 грн |
| 3000+ | 3366.95 грн |
| 5400+ | 3366.25 грн |