Продукція > ONSEMI > UF3SC120040B7S
UF3SC120040B7S

UF3SC120040B7S onsemi

UF3SC120040B7S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1333.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3SC120040B7S onsemi

Description: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V.

Інші пропозиції UF3SC120040B7S за ціною від 1571.21 грн до 2083.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S onsemi UF3SC120040B7S-D.PDF Description: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2083.72 грн
10+1571.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S onsemi UF3SC120040B7S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S QORVO UF3SC120040B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S-D.PDF
UF3SC120040B7S
Виробник: onsemi
Description: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2083.72 грн
10+1571.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S-D.PDF
UF3SC120040B7S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO263-7
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S-D.PDF
UF3SC120040B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.