UF4C120053B7S onsemi
Виробник: onsemi
Description: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF4C120053B7S onsemi
Description: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V.
Інші пропозиції UF4C120053B7S за ціною від 523.69 грн до 1053.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF4C120053B7S | Qorvo |
SiC MOSFETs UF4C120053B7S |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
UF4C120053B7S | onsemi |
Description: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V |
на замовлення 20768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF4C120053B7S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO263-7 |
на замовлення 724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UF4C120053B7S |
|
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UF4C120053B7S
SiC MOSFETs UF4C120053B7S
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 912.75 грн |
| 25+ | 782.99 грн |
| 100+ | 587.12 грн |
| 250+ | 540.60 грн |
| 500+ | 524.39 грн |
| 2400+ | 523.69 грн |
| UF4C120053B7S |
|
Виробник: onsemi
Description: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Description: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 20768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1002.26 грн |
| 10+ | 679.34 грн |
| 100+ | 613.45 грн |
| UF4C120053B7S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO263-7
SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1053.36 грн |
| 10+ | 731.12 грн |
| 100+ | 574.43 грн |
| 500+ | 566.68 грн |
| 800+ | 536.37 грн |